Samsung Memory
Il nuovo anno non poteva iniziare peggio per Samsung, che ha perso già alcuni milioni di dollari. La perdita è dovuta ad un blackout che ha fatto fermare la produzione delle memorie NAND e DRAM per un minuto, nell’impianto di produzione di Hwaeseong, in Corea del Sud. L’impianto resterà fermo per tre giorni per accertarsi che sia tutto in ordine e che possa essere ripresa a pieno la produzione.
Lo stop della produzione causerà perdite all’azienda per qualche milione di dollari. Non è stato ancoro stimato con precisione il danno. Ma questa non è la perdita più consistente che vede Samsung coinvolta. Nel 2018, un altro blackout di circa 30 minuti, ha fatto perdere a Samsung più di 40 milioni di dollari. Samsung è una delle maggiori case produttrici di memorie, quindi uno stop di tre giorni può essere un bel problema.
La produzione nell’impianto della Corea del Sud sembra essere stata bloccata in seguito ad un problema con il cavo regionale di trasmissione dell’energia. Il tutto dovrebbe essere ripristinato entro oggi, secondo l’agenzia di stampa locale Reuters. Samsung sta ispezionando le linee di produzione per accertarsi che tutto funzioni a dovere prima di riprendere la produzione.
Lo stop della produzione riguarda due tipi di memorie. Infatti la produzione è stata bloccata per memorie NAND e DRAM. Le memorie di tipo DRAM (Dynamic Random Access Memory) sono delle memorie che immagazzinano ogni bit in un diverso condensatore allo stato solido, in una matrice quadrata di condensatori. Il numero di elettroni nel condensatore determina se il bit è 0 o 1. La DRAM è un tipo di memoria volatile.
Nelle memorie NAND (o NAND Flash) le informazioni vengono registrate in un vettore di floating gate MOSFET. Ogni transistor costituisce una cella di memoria che conserva il valore di un bit. Per quanto riguarda gli array delle memorie NAND, i transistor sono connessi in serie. La NAND Flash è un tipo di memoria a stato solido non volatile. Le memorie flash sono usate ad esempio per la produzione di MicroSD.